类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-226-3 |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 1V |
额定功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50MHz 通孔 TO-92-3
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA56_D27Z 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
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