| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-226-3 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50MHz 通孔 TO-92-3
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
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