| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | -300 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 25 @30mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA92. 单晶体管 双极, PNP, 300 V, 625 mW, 500 mA, 25 hFE
ON Semiconductor（安森美）
高压晶体管（ PNP硅） High Voltage Transistors(PNP Silicon)
Multicomp
MULTICOMP MPSA92 单晶体管 双极, PNP, 300 V, 50 MHz, 625 mW, 500 mA, 40 hFE
NXP（恩智浦）
PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
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