| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-226-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 1000 mW |
| 集电极击穿电压 | 40.0 V |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 60 @100mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 1 A 50MHz 1 W 通孔 TO-92（TO-226）
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
ON Semiconductor（安森美）
一瓦高电流晶体管（ NPN硅） One Watt High Current Transistors(NPN Silicon)
Micro Commercial Components（美微科）
National Semiconductor（美国国家半导体）
ON Semiconductor（安森美）
一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon
ON Semiconductor（安森美）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 50V NPN
ON Semiconductor（安森美）
一瓦高电流晶体管（ NPN硅） One Watt High Current Transistors(NPN Silicon)
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