类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 50 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 300 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | TO-92-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 1 W |
增益频宽积 | 50 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
最小电流放大倍数 | 40 @30mA, 10V |
额定功率(Max) | 1 W |
直流电流增益(hFE) | 50 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 5.21 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 7.87 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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一瓦高压晶体管 One Watt High Voltage Transistor
National Semiconductor(美国国家半导体)
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