| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-226-3 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 25000 @200mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
一瓦达林顿晶体管（ NPN硅） One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon)
National Semiconductor（美国国家半导体）
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MPSW45ARLRAG 达林顿晶体管, NPN, 50V, TO-92
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MPSW45AG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 50 V, 100 MHz, 2.5 W, 1 A, 25000 hFE
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一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
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一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
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