| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -300 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | TO-226-3 |
| 极性 | Dual P-Channel |
| 功耗 | 1.00 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 25 @30mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
ON Semiconductor（安森美）
一瓦高压晶体管 One Watt High Voltage Transistor
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