Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Microsemi（美高森美） > MRF5812R1 Datasheet 文档
MRF5812R1
来自 AiPCBA

MRF5812R1 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:双极性晶体管
封装:SO-8
描述:射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
PDF文件:MRF5812R1 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
MRF5812R1 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

MRF5812R1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SO-8
击穿电压(集电极-发射极)15 V
增益13dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数50 @50mA, 5V
额定功率(Max)1.25 W
耗散功率(Max)1.25 W
查看数据手册 >

MRF5812R1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
查看数据手册 >

MRF5812R1 数据手册

MRF5812R1 数据手册
Microsemi（美高森美）
5 页 / 0.11 MByte
MRF5812R1 产品修订记录
Microsemi（美高森美）
1 页 / 0.1 MByte

MRF5812 数据手册

MRF5812 数据手册
Microsemi（美高森美）
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5812 数据手册
Advanced Semiconductor
MRF5812GR1 数据手册
Microsemi（美高森美）
MRF5812GR2 数据手册
Microsemi（美高森美）
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
MRF5812G 数据手册
Microsemi（美高森美）
MRF5812R1 数据手册
Microsemi（美高森美）
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5812R2 数据手册
Microsemi（美高森美）
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5812R1 数据手册
NXP（恩智浦）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet