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MRF5812R2
来自 AiPCBA

MRF5812R2 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOIC-8
描述:射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
PDF文件:MRF5812R2 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
MRF5812R2 数据手册 (5 页)
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MRF5812R2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
击穿电压(集电极-发射极)18 V
增益15.5 dB
最小电流放大倍数50 @50mA, 5V
额定功率(Max)1.25 W
耗散功率(Max)1250 mW
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MRF5812R2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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MRF5812R2 数据手册

MRF5812R2 数据手册
Microsemi（美高森美）
5 页 / 0.11 MByte

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