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MRF581A
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MRF581A 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:双极性晶体管
封装:Micro-X
描述:射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
PDF文件:MRF581A 数据手册 (6 页)
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MRF581A 数据手册 (6 页)
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MRF581A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装Micro-X
功耗1250 mW
击穿电压(集电极-发射极)15 V
增益13dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数90 @50mA, 5V
额定功率(Max)1.25 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)1250 mW
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MRF581A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Bulk
高度2.54 mm
工作温度150℃ (TJ)
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MRF581A 数据手册

MRF581A 数据手册
Microsemi（美高森美）
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