类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 50 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 50.0 V |
额定电流 | 100 mA |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 200 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 0.1A |
最小电流放大倍数 | 200 @2mA, 6V |
额定功率(Max) | 200 mW |
直流电流增益(hFE) | 200 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~400 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| General Purpose Amplifier Transistor NPN Surface Mount Moisture Sensitivity Level: 1 • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 晶体管放大器 NPN表面贴装 湿气敏感性等级:1 •无铅包可用
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通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistor
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