| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323-3 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.15A |
| 最小电流放大倍数 | 25 |
| 最大电流放大倍数 | 200 |
ON Semiconductor（安森美）
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NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors
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