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MSD42WT1G
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MSD42WT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SC-70-3
描述:NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors
PDF文件:MSD42WT1G 数据手册 (4 页)封装尺寸在4 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
MSD42WT1G 数据手册 (4 页)
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MSD42WT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)300 V
额定电流150 mA
封装SC-70-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
极性NPN
功耗450 mW
击穿电压(集电极-发射极)300 V
集电极最大允许电流0.15A
最小电流放大倍数40 @30mA, 10V
额定功率(Max)150 mW
直流电流增益(hFE)40
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 mW
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MSD42WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.1 mm
宽度1.24 mm
高度0.85 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MSD42WT1G 数据手册

MSD42WT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.08 MByte
MSD42WT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
15 页 / 0.09 MByte
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ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.04 MByte

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