| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-563 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 5 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.04A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 10V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 5V
●集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 40mA
●直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 80~160
●截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 10GHZ
●耗散功率Pc Power Dissipation | 0.1W
●Description & Applications |
●Features • Transistors silicon NPN Epitaxial Planar type • Two devices are built in to the super-thin and extreme super mini (6 pins) package:ES6
●VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER
●描述与应用 |
●特点 •晶体管NPN硅外延平面型 •两个设备都建在到超薄和极端超迷你（6针）包装：ES6的
●甚高频~ UHF波段低噪声放大器
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
MT6C03AE NPN+NPN复合高频三极管 10V 40mA HEF= 80~160 10GHZ SOT-563/ES6 标记AM 用于开关/数字电路甚高频~ UHF波段低噪声放大器
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