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MTB2P50ET4G
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MTB2P50ET4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:-2A,-500V,P沟道功率MOSFET
PDF文件:MTB2P50ET4G 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

MTB2P50ET4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
漏源极电阻6.00 Ω
极性P-Channel
功耗2.5 W
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)2.00 A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)1183pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2.5 W
下降时间19 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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MTB2P50ET4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.29 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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MTB2P50ET4G 数据手册

MTB2P50ET4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
-2A,-500V,P沟道功率MOSFET
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