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MTB30P06VT4G
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MTB30P06VT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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MTB30P06VT4G 数据手册 (8 页)
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MTB30P06VT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-30.0 A
封装TO-263-3
通道数1 Channel
漏源极电阻80 mΩ
极性P-Channel
功耗3 W
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
栅源击穿电压±15.0 V
连续漏极电流(Ids)30.0 A
上升时间25.9 ns
输入电容值(Ciss)2190pF @25V(Vds)
额定功率(Max)3 W
下降时间52.4 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta), 125W (Tc)
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MTB30P06VT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.29 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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MTB30P06VT4G 数据手册

MTB30P06VT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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