| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -50.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 25.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| 输入电容 | 4.90 nF |
| 栅电荷 | 100 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 50.0 A |
| 上升时间 | 340 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4900pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 218 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 30 V 50A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） D2PAK
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MTB50P03HDLT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK
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功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK
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