类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | -30.0 V |
额定电流 | -50.0 A |
封装 | TO-263-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 25 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 125 W |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
栅源击穿电压 | ±15.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 50.0 A |
上升时间 | 340 ns |
输入电容值(Ciss) | 4900pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 218 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.29 mm |
宽度 | 9.65 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 30 V 50A(Tc) D²PAK
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ON SEMICONDUCTOR MTB50P03HDLT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK
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功率MOSFET 50安培, 30伏特,逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK
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