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MTD10N10EL
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MTD10N10EL 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:DPAK-252
描述:TMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
PDF文件:MTD10N10EL 数据手册 (8 页)
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MTD10N10EL 数据手册 (8 页)
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MTD10N10EL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装DPAK-252
极性N-CH
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)10A
上升时间74 ns
输入电容值(Ciss)741pF @25V(Vds)
下降时间38 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1750 mW
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MTD10N10EL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Rail
材质Silicon
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MTD10N10EL 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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