| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -12.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 功耗 | 60W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 50 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 770pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 39 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -12A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.185Ω @6A,10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 2.0-4.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.1W Description & Applications| Features • Avalanche Energy Specified • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| •雪崩能量 •IDSS和VDS（上） 指定高温 •无铅包可用
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功率MOSFET的12A ， 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK
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