Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor（安森美） > MTD6N15T4GV Datasheet 文档
MTD6N15T4GV
来自 AiPCBA

MTD6N15T4GV 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:MTD6N15T4GV 数据手册 (6 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在6 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
MTD6N15T4GV 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

MTD6N15T4GV 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
功耗1.25W (Ta), 20W (Tc)
漏源极电压(Vds)150 V
输入电容值(Ciss)1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.25 W
耗散功率(Max)1.25W (Ta), 20W (Tc)
查看数据手册 >

MTD6N15T4GV 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

MTD6N15T4GV 数据手册

MTD6N15T4GV 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.11 MByte
MTD6N15T4GV 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.11 MByte

MTD6N15T4 数据手册

MTD6N15T4 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
MTD6N15T4 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
MTD6N15T4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  MTD6N15T4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 6A, D-PAK
MTD6N15T4GV 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet