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MTD6N20E
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MTD6N20E 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:DPAK-252
描述:功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK
PDF文件:MTD6N20E 数据手册 (9 页)
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MTD6N20E 数据手册 (9 页)
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MTD6N20E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装DPAK-252
极性N-CH
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)6A
上升时间29 ns
输入电容值(Ciss)342pF @25V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)50000 mW
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MTD6N20E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
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MTD6N20E 数据手册

MTD6N20E 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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