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MTD9N10ET4
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MTD9N10ET4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-252
描述:MTD9N10ET4 N沟道MOSFET 100V 9A TO-252/D-PAK marking/标记 高速开关/低导通电阻
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MTD9N10ET4 数据手册 (33 页)
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MTD9N10ET4 技术参数、封装参数

类型描述
封装TO-252
极性N-CH
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)9A

MTD9N10ET4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown

MTD9N10ET4 数据手册

MTD9N10ET4 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
33 页 / 0.59 MByte
MTD9N10ET4 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
12 页 / 0.1 MByte

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