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MTP12P10G
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MTP12P10G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:-12A,-100V,P沟道功率MOSFET
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MTP12P10G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-100 V
额定电流-12.0 A
封装TO-220-3
漏源极电阻300 mΩ
极性P-Channel
功耗75W (Tc)
输入电容920 pF
栅电荷50.0 nC
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
输入电容值(Ciss)920pF @25V(Vds)
额定功率(Max)75 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)75W (Tc)
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MTP12P10G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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MTP12P10G 数据手册

MTP12P10G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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