类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 12A |
上升时间 | 95 ns |
下降时间 | 50 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 40000 mW |
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO- 220 MOSFET的STripFET N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MTP3055VL 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.1 ohm, 5 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO- 220 MOSFET的STripFET N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET
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