| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 12.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.1 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 48 W |
| 阈值电压 | 1.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 190 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 570pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 48 W |
| 下降时间 | 90 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 48 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO- 220 MOSFET的STripFET N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MTP3055VL 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.1 ohm, 5 V, 1.6 V
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO- 220 MOSFET的STripFET N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET
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