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MTP3N120E
来自 AiPCBA

MTP3N120E 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-220
PDF文件:MTP3N120E 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

MTP3N120E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
极性N-CH
漏源极电压(Vds)1200 V
连续漏极电流(Ids)3A
上升时间12.6 ns
输入电容值(Ciss)1200pF @25V(Vds)
下降时间20.7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
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MTP3N120E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Rail
材质Silicon
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MTP3N120E 数据手册

MTP3N120E 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.17 MByte
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22 页 / 0.25 MByte

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