类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-220 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 3A |
ON Semiconductor(安森美)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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