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MTP50P03HDL
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MTP50P03HDL 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道TO- 220 Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-220
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MTP50P03HDL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-50.0 A
封装TO-220-3
正向电压2.39 V
漏源极电阻25.0 mΩ
极性P-Channel
功耗125W (Tc)
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±15.0 V
连续漏极电流(Ids)50.0 A
上升时间340 ns
输入电容值(Ciss)4900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)125 W
耗散功率(Max)125W (Tc)
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MTP50P03HDL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MTP50P03HDL 数据手册

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