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MTW32N20E
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MTW32N20E 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:200V,32A,N沟道功率MOSFET
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MTW32N20E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流32.0 A
封装TO-247-3
漏源极电阻0.075 Ω
极性N-Channel
功耗180 W
输入电容3600pF @25V
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)32.0 A
上升时间120 ns
输入电容值(Ciss)5000pF @25V(Vds)
下降时间91 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)180W (Tc)
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MTW32N20E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bulk
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.08 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MTW32N20E 数据手册

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