类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | -50.0 V |
额定电流 | -100 mA |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 100mA |
最小电流放大倍数 | 35 @5mA, 10V |
额定功率(Max) | 230 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59
ON Semiconductor(安森美)
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数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 10千? Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MUN2111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
ON Semiconductor(安森美)
MUN2111T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 60 0.338W/338mW SOT-23/SC-59 标记6A 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
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偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
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