| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SC-59 |
| 极性 | N-Channel |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 35-60 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.23W/230mW Description & Applications| Features •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space •Reduces Component Count •Moisture Sensitivity Level: 1 •ESD Rating - Human Body Model: Class 1 - Machine Model: Class B •The SC-59 Package can be Soldered Using Wave or Reflow •The Modified Gull-Winged Leads Absorb Thermal Stress During Soldering Eliminating the Possibility of Damage to the Die •Pb-Free Packages are Available 描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •湿度敏感度等级：1 •ESD额定值 - 人体模型：第1类 - 机器型号：B类 •SC-59封装，可以使用波或回流焊接 •改进的鸥翼引线在焊接热应力吸收消除模具损坏的可能性 •无铅包可用
ON Semiconductor（安森美）
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NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
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ON SEMICONDUCTOR MUN2211T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
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NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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MUN2211T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-60 SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护
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MUN2211JT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-23/SC-59 marking/标记 8A ESD保护
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双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
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偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
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