| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 187 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 140 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 310mW/0.31W Description & Applications| Features •Dual Bias Resistor Transistors •NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space •Reduces Component Count •The SC−70/SOT−323 package can be soldered using wave or reflow.The modified gull−winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die. •Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel. •Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 特点 •双偏置电阻晶体管 •NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少了元件数量SC-70/SOT-323包装可以使用波或回流焊接。修改后的鸥翅引线过程中吸收热应力除焊接的模具损坏的可能性。 •可在8 mm压纹带和卷轴。使用设备号到责令7 inch/3000的单位卷轴。 •无铅包可用
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ON Semiconductor ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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双NPN偏置电阻晶体管R1 = 47 K， R 2 = 47 ķ Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K
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双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
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