| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 极性 | NPN, PNP |
| 功耗 | 256 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 80 |
| 最大电流放大倍数 | 80 |
| 额定功率(Max) | 250 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 140 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 385 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 0.1A Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 47KΩ Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 47KΩ Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 80~140 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 耗散功率Pc Power Dissipation | 描述与应用 | NPN型晶体管山和PNP型硅表面和整体的偏见 电阻网络
ON Semiconductor（安森美）
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双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
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ON SEMICONDUCTOR MUN5313DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88
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