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NAND01GW3B2BN6E
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NAND01GW3B2BN6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:Flash芯片
封装:TSOP-48
描述:1千兆， 2千兆， 2112字节/ 1056字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
PDF文件:NAND01GW3B2BN6E 数据手册 (61 页)典型应用电路图在9 页15 页
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NAND01GW3B2BN6E 数据手册 (61 页)
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NAND01GW3B2BN6E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TSOP-48
工作温度(Max)85 ℃
工作温度(Min)40 ℃
电源电压(Max)3.6 V
电源电压(Min)2.7 V
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NAND01GW3B2BN6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tray
工作温度40℃ ~ 85℃
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NAND01GW3B2BN6E 数据手册

NAND01GW3B2BN6E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
61 页 / 0.6 MByte

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