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NAND01GW3B2CN6
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NAND01GW3B2CN6 数据手册
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NAND01GW3B2CN6 技术参数、封装参数

NAND01GW3B2CN6 外形尺寸、物理参数、其它

NAND01GW3B2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
1千兆, 2千兆, 2112字节/ 1056字页, 1.8V / 3V , NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
ST Microelectronics(意法半导体)
NAND闪存 2.7-3.6V 1G (128Mx8)
ST Microelectronics(意法半导体)
1千兆, 2千兆, 2112字节/ 1056字页, 1.8V / 3V , NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
Micron(镁光)
MICRON  NAND01GW3B2CN6E  闪存, 1 Gbit, 128K x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
NAND闪存 NAND MEDIA FLASH
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