ST Microelectronics（意法半导体）
1千兆， 2千兆， 2112字节/ 1056字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
NAND闪存 2.7-3.6V 1G (128Mx8)
ST Microelectronics（意法半导体）
1千兆， 2千兆， 2112字节/ 1056字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
Micron（镁光）
MICRON NAND01GW3B2CN6E 闪存, 1 Gbit, 128K x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
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