Datasheet 搜索 > Flash芯片 > ST Microelectronics（意法半导体） > NAND02GW3B2CN6E Datasheet 文档
NAND02GW3B2CN6E
来自 AiPCBA

NAND02GW3B2CN6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:Flash芯片
封装:TSOP-48
描述:1千兆， 2千兆， 2112字节/ 1056字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
PDF文件:NAND02GW3B2CN6E 数据手册 (61 页)典型应用电路图在9 页15 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NAND02GW3B2CN6E 数据手册 (61 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NAND02GW3B2CN6E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数48 Pin
电源电压3.00 V
封装TSOP-48
工作温度(Max)85 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
查看数据手册 >

NAND02GW3B2CN6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 85℃
查看数据手册 >

NAND02GW3B2CN6E 数据手册

NAND02GW3B2CN6E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
61 页 / 0.6 MByte

NAND02GW3B2CN6 数据手册

NAND02GW3B2CN6E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
1千兆， 2千兆， 2112字节/ 1056字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW3B2CN6E 数据手册
Numonyx
NAND02GW3B2CN6F 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
1千兆， 2千兆， 2112字节/ 1056字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND02GW3B2CN6E 数据手册
Micron（镁光）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet