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NAND04GW3B2BN6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
| 制造商: | ST Microelectronics（意法半导体） |
| 分类: | 存储芯片 |
| 封装: | TSOP1 |
| 描述: | 4千兆， 8千兆， 2112字节/ 1056字第3V ， NAND闪存 4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories |
| PDF文件: | NAND04GW3B2BN6E 数据手册 (58 页) |
| Pictures: |
NAND04GW3B2BN6E 数据手册 (58 页)
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