NAND08GW3B2AN6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
封装:	TSOP
描述:	4千兆， 8千兆， 2112字节/ 1056字第3V ， NAND闪存 4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

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NAND08GW3B2AN6E 技术参数、封装参数

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Tray

Micron（镁光）

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