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NAND128W3A0AN6
来自 AiPCBA

NAND128W3A0AN6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:Flash芯片
封装:TSOP-48
描述:128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
PDF文件:NAND128W3A0AN6 数据手册 (56 页)封装尺寸在46 页47 页48 页49 页50 页51 页
典型应用电路图在8 页16 页
原理图在9 页22 页
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焊盘图
引脚图
产品图
NAND128W3A0AN6 数据手册 (56 页)
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NAND128W3A0AN6 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TSOP-48
工作温度(Max)85 ℃
工作温度(Min)40 ℃
电源电压2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)3.6 V
电源电压(Min)2.7 V
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NAND128W3A0AN6 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 85℃ (TA)
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NAND128W3A0AN6 数据手册

NAND128W3A0AN6 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
56 页 / 0.86 MByte

NAND128W3A0 数据手册

NAND128W3A0AN6 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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