NAND256W3A2BN6F 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	存储芯片
封装:	TFSOP-48
描述:	128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
PDF文件:	NAND256W3A2BN6F 数据手册 (57 页)封装尺寸在47 页 48 页 49 页 50 页 51 页 52 页典型应用电路图在8 页 16 页原理图在9 页 23 页 24 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

NAND256W3A2BN6F 数据手册 (57 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NAND256W3A2BN6F 技术参数、封装参数

类型	描述
封装	TFSOP-48
工作温度(Max)	85 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
电源电压	2.7V ~ 3.6V

查看数据手册 >

NAND256W3A2BN6F 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Bulk
工作温度	-40℃ ~ 85℃ (TA)

查看数据手册 >

NAND256W3A2BN6F 符合标准

NAND256W3A2BN6F 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

57 页 / 0.41 MByte

NAND256W3A2BN6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

NAND256W3A2BN6 数据手册

Micron（镁光）

NAND256W3A2BN6E 数据手册

Micron（镁光）

MICRON NAND256W3A2BN6E 闪存, 与非, 256 Mbit, 32K x 8位, TSOP, 48 引脚

NAND256W3A2BN6E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

NAND256W3A2BN6F 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

NAND256W3A2BN6F TR 数据手册

Micron（镁光）

NAND256W3A2BN6E 数据手册

Numonyx

NAND256W3A2BN6T 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号