| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 63 Pin |
| 额定电压(DC) | 3.30 V |
| 封装 | TFBGA-63 |
| 存取时间 | 50 ns |
| 电源电压 | 1.7V ~ 1.95V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
闪存 - NAND 存储器 IC 512Mb（64M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
Micron（镁光）
56 页 / 0.92 MByte
Micron（镁光）
51 页 / 0.91 MByte
Micron（镁光）
NAND闪存 NAND512R3A2SZA6E BGA63
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics（意法半导体）
512兆， 528字节/ 264字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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