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NAND512W3A2BN6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	Flash芯片
封装:	TSOP-48
描述:	128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
PDF文件:	NAND512W3A2BN6E 数据手册 (56 页)封装尺寸在46 页 47 页 48 页 49 页 50 页 51 页典型应用电路图在8 页 16 页原理图在9 页 22 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

NAND512W3A2BN6E 数据手册 (56 页)

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NAND512W3A2BN6E 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	48 Pin
电源电压	3.30 V, 3.60 V (max)
封装	TSOP-48
位数	8 Bit
存取时间	35.0 ns
内存容量	512000000 B
存取时间(Max)	12000 ns
工作温度(Max)	85 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
电源电压	2.7V ~ 3.6V

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NAND512W3A2BN6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Tray
工作温度	-40℃ ~ 85℃ (TA)

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NAND512W3A2BN6E 符合标准

NAND512W3A2BN6E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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