NB6L11DR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	时钟缓冲器、驱动器、锁相环
封装:	SOIC-8
描述:	2.5 V / 3.3 V的多级输入至差分LVPECL / LVNECL 1 ： 2时钟或数据扇出缓冲器/翻译 2.5 V/3.3 V Multilevel Input to Differential LVPECL/LVNECL 1:2 Clock or Data Fanout Buffer/Translator
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NB6L11DR2G 数据手册 (13 页)

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NB6L11DR2G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	SOIC-8
无卤素状态	Halogen Free
输出接口数	2 Output
电路数	1 Circuit
最大占空比	60 %
工作温度(Max)	85 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
电源电压	2.375V ~ 3.465V

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NB6L11DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	5 mm
宽度	4 mm
高度	1.5 mm
工作温度	-40℃ ~ 85℃

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NB6L11DR2G 符合标准

NB6L11DR2G 海关信息

NB6L11DR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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NB6L11DR2 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2.5V / 3.3V多级输入至差分LVPECL / LVNECL 1 ： 2时钟或数据扇出缓冲器/翻译 2.5V / 3.3V MULTILEVEL INPUT TO DIFFERENTIAL LVPECL/LVNECL 1:2 CLOCK OR DATA FANOUT BUFFER / TRANSLATOR

NB6L11DR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2.5 V / 3.3 V的多级输入至差分LVPECL / LVNECL 1 ： 2时钟或数据扇出缓冲器/翻译 2.5 V/3.3 V Multilevel Input to Differential LVPECL/LVNECL 1:2 Clock or Data Fanout Buffer/Translator

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