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NCV5183DR2G
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NCV5183DR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:SOIC-8
描述:MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 9 V至18 V电源, 4.3 A输出, 120 ns延迟, SOIC-8
PDF文件:NCV5183DR2G 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NCV5183DR2G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
上升/下降时间12 ns
输出接口数2 Output
针脚数8 Position
上升时间12 ns
下降时间12 ns
下降时间(Max)12 ns
上升时间(Max)12 ns
工作温度(Max)125 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
电源电压9V ~ 18V
电源电压(Max)18 V
电源电压(Min)9 V
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NCV5183DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-40℃ ~ 125℃ (TJ)
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NCV5183DR2G 数据手册

NCV5183DR2G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
15 页 / 0.33 MByte
NCV5183DR2G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
15 页 / 0.33 MByte
NCV5183DR2G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.05 MByte

NCV5183DR2 数据手册

NCV5183DR2G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 9 V至18 V电源, 4.3 A输出, 120 ns延迟, SOIC-8
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