| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电流 | 5.4 A |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.165 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.1 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 42 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2A |
| 输出电流(Max) | 2 A |
| 输入数 | 1 Input |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1620 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.65 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
保护 MOSFET SMARTDISCRETES™，ON Semiconductor
●自保护 MOSFET 可包括电流限制、温度限制和 ESD（静电放电）保护。
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ON SEMICONDUCTOR NCV8402ASTT1G MOSFET Transistor, N Channel, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V 新
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