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NDB6020P_Q
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NDB6020P_Q 技术参数、封装参数

NDB6020P_Q 外形尺寸、物理参数、其它

NDB6020P_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
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NDB6020 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDB6020P  晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -20 V, 0.041 ohm, -4.5 V, -700 mV
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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National Semiconductor(美国国家半导体)
Freescale(飞思卡尔)
TI(德州仪器)
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