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NDB6030
来自 AiPCBA

NDB6030 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF文件:NDB6030 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
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NDB6030 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-263-3
极性N-CH
功耗75 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)46A
上升时间103 ns
下降时间98 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
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NDB6030 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
长度10.67 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
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NDB6030 数据手册

NDB6030 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.06 MByte
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