| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 1 Ω |
| 功耗 | 700 mW |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 输入电容值(Ciss) | 20pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 960 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
增强模式双 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor（安森美）
15 页 / 0.57 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
双N和P沟道增强型场效应晶体管 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDC7001C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 340 mA, 50 V, 1 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET NDC7001C, 340 mA，510 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
