| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 2 Ω |
| 功耗 | 900 mW |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 输入电容 | 20 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 50 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 20pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 960 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
增强模式双 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDC7002N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 510 mA, 50 V, 2 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NDC7002N, 510 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-23封装
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